單項(xiàng)選擇題將8K×4存儲容量的只讀存儲器擴(kuò)展為32K×8的只讀存儲器，需要（）片存儲器。
A.2
B.4
C.8
D.16
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1.單項(xiàng)選擇題只讀存儲器向存儲單元寫入數(shù)據(jù)時(shí)，需要加入（）。
A.使能片選信號
B.高電壓
C.存儲電荷
D.選通地址
2.單項(xiàng)選擇題DRAM2116結(jié)構(gòu)圖中增加了刷新計(jì)數(shù)器的目的是（）。
A.周期為每列存儲單元刷新
B.周期為每行存儲單元刷新
C.周期進(jìn)行行譯碼
D.周期讀/寫數(shù)據(jù)
3.單項(xiàng)選擇題單管DRAM位線上的分布電容電荷大，降低了存儲高電平的電位，僅達(dá)到（），因此需要增加靈敏恢復(fù)/放大電路放大電壓，達(dá)到高電平的值。
A.0.1V
B.0V
C.0.2V
D.1V
4.多項(xiàng)選擇題四管動(dòng)態(tài)存儲單元電路不需要靈敏恢復(fù)/放大電路的原因是（）。
A.輸出高電平的電位足夠高
B.輸出低電平的電位足夠高
C.電容可以存儲電荷
D.用鎖存器的輸出存儲電平
5.單項(xiàng)選擇題QDR SDRAM為（）。
A.同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器
B.異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器
C.2倍速同步隨機(jī)存儲器
D.4倍速同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器
最新試題
8D鎖存器74HC/HCT373的主要工作模式包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
?二極管在數(shù)字電路中工作在哪些狀態(tài)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
555芯片的4腳可以直接控制輸出端3腳的電位，2腳也可以控制輸出端3腳的電位，6腳也可以控制輸出端3腳的電位，那么這三個(gè)引腳哪個(gè)的優(yōu)先級別最高？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下面的555芯片，6腳是高電平有效，那么高電平的電壓值的范圍是多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
?下面哪些說法是正確的？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
D點(diǎn)有幾條支路？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下圖用D觸發(fā)器構(gòu)建了一個(gè)（）觸發(fā)器。
題型：單項(xiàng)選擇題
?標(biāo)有藍(lán)色的那個(gè)最小項(xiàng)的編號在（A，B，C）人為規(guī)定位權(quán)的方式下，編號為幾？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
74LVC163是具有同步清零功能的計(jì)數(shù)器，其余功能與74LVC161相同。則此“同步清零”功能是在（）時(shí)刻完成的。
題型：單項(xiàng)選擇題
若采用反饋異步清零法構(gòu)建9進(jìn)制的計(jì)數(shù)器，則反饋信號應(yīng)該根據(jù)（）狀態(tài)來生成。
題型：單項(xiàng)選擇題