在PN 結形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

試說明橫向擴散以及橫向擴散的主要影響。

OED/ORD

在P 型半導體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

因電場作用所產生的運動稱為擴散運動。

若在直流電路中硅二極管導通，則其導通電壓均可認為0.7V。

明兩步擴散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。

點接觸型比面接觸型二極管的結電容面積小，因此其最高工作頻率低。

下列半導體材料熱敏特性突出的是（）