刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）