單項選擇題刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
A.氧化
B.離子注入
C.光刻
D.拋光
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1.單項選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量
2.單項選擇題摻雜后退火時間一般在（）。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
3.單項選擇題當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
4.多項選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
5.多項選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
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互連工藝中AL的制備可選用（）。
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IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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