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填空題CMOS集成電路的柵氧化層要求：（）。通常用（）氧化降低其界面態(tài)密度，用（）氧化降低其針孔密度和提高介電擊穿強(qiáng)度。

參考答案： 針孔密度低、界面態(tài)密度低、可動(dòng)電荷密度低和固定電荷密度低、介電擊穿高；含Cl；含N

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1.填空題用C-V測(cè)試可以測(cè)定二氧化硅薄膜的：（）

參考答案：界面態(tài)密度、可動(dòng)電荷密度和固定電荷密度

2.填空題氧化層厚度的測(cè)量方法主要有：（）。

參考答案：比色法、橢圓偏振儀測(cè)試法、臺(tái)階測(cè)試、相干光波長(zhǎng)差測(cè)量、擴(kuò)展電阻測(cè)試、掃描電鏡測(cè)量

3.填空題氧化時(shí)（）稱(chēng)為分凝效應(yīng)。B在氧化硅中的含量高于Si襯底中的含量，分凝系數(shù)（）1；P、As在氧化硅中的含量低于Si襯底中含量，分凝系數(shù)（）1。

參考答案：硅中的雜質(zhì)濃度與SiO₂中濃度出現(xiàn)差別的現(xiàn)象；小于；大于

4.填空題 Si襯底上熱氧化的機(jī)理由（）模型確定。氧化反應(yīng)的快慢與三個(gè)因素有關(guān)，即：（）。氧化層厚度的理論計(jì)算公式為：式中A、B為與擴(kuò)散率成正比的常數(shù)，τ為由（）決定的時(shí)間修正系數(shù)。

參考答案：迪爾－格羅夫；溫度、氧化劑濃度和表面電勢(shì)；初始厚度

5.填空題由于O₂在SiO₂中的擴(kuò)散率遠(yuǎn)（）于Si 在SiO₂中的擴(kuò)散率，所以氧化反應(yīng)是由O₂穿過(guò)SiO₂層，在（）界面與Si原子反應(yīng)。相同溫度下，濕氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因?yàn)樵赟iO₂中，H₂O比O₂有更（）的擴(kuò)散率和溶解度。由于N₂和Si在Si₃N₄中的擴(kuò)散率都很（），所以很難在Si襯底上熱生長(zhǎng)Si₃N₄。通常在Si襯底上用（）法沉積Si₃N₄薄膜。

參考答案：高；Si-SiO₂；高；高；低；PECVD