金屬化中可選用的金屬材料有（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。