硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對準誤差包括（）。