問(wèn)答題如果光刻膠對(duì)光的吸收過(guò)多側(cè)墻會(huì)怎樣？
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1.問(wèn)答題列出并描述光刻中使用的兩種UV曝光光源。
2.問(wèn)答題描述曝光波長(zhǎng)和圖像分辨率的關(guān)系。
3.問(wèn)答題陳述軟烘的4個(gè)原因。
4.問(wèn)答題光刻膠厚度隨什么變化？
5.問(wèn)答題負(fù)膠的兩大缺點(diǎn)是什么。
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濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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摻雜后，退火的目的是（）。
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常壓的硅外延方法有（）。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）
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三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題