問答題簡述實現(xiàn)有源逆變的基本條件，并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

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2.單項選擇題IGBT是一個復合型的器件，它是（）。

A.GTR驅動的MOSFET
B.MOSFET驅動的GTR
C.MOSFET驅動的晶閘管
D.MOSFET驅動的GTO

3.單項選擇題已經導通的晶閘管的可被關斷的條件是流過晶閘管的電流（）。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

4.單項選擇題為限制功率晶體管的飽和深度，減少存儲時間，桓流驅動電路經常采用（）。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

5.單項選擇題直流斬波電路是一種（）變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC

6.單項選擇題桓流驅動電路中加速電容C的作用是（）。

A.加快功率晶體管的開通
B.延緩功率晶體管的關斷
C.加深功率晶體管的飽和深度
D.保護器件

7.單項選擇題電阻性負載三相半波可控整流電路中，控制角的范圍是（）。

A.30°～150
B.0°～120°
C.15°～125°
D.0°～150°

8.單項選擇題

對于單相交交變頻電路如下圖，在t1~t2時間段內，P組晶閘管變流裝置與N組晶閘管變流裝置的工作狀態(tài)是（）。

A.P組阻斷，N組整流
B.P組阻斷，N組逆變
C.N組阻斷，P組整流
D.N組阻斷，P組逆變

10.單項選擇題對于單相交流調壓電路，下面說法錯誤的是（）。

A.晶閘管的觸發(fā)角大于電路的功率因素角時，晶閘管的導通角小于180度
B.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角時，必須加寬脈沖或脈沖列觸發(fā)，電路才能正常工作
C.晶閘管的觸發(fā)角小于電路的功率因素角正常工作并達到穩(wěn)態(tài)時，晶閘管的導通角為180度
D.晶閘管的觸發(fā)角等于電路的功率因素角時，晶閘管的導通角不為180度