電路如圖所示，場效應(yīng)管的g_m=11.3ms，r_ds忽略不計。試求共漏放大電路的源電壓增益、輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如圖所示，已知FET在Q點處的跨導(dǎo)g_m=2mS，λ=0，試求該電路的、R_i、R_o的值。

圖所示場效應(yīng)管工作于放大狀態(tài)，r_ds忽略不計，電容對交流視為短路?？鐚?dǎo)為g_m=1ms。
（1）畫出電路的交流小信號等效電路；
（2）求電壓放大倍數(shù)和源電壓放大倍數(shù)；
（3）求輸入電阻R_i和輸出電阻R_o。

電路如圖所示，已知場效應(yīng)管VT的U_th=2V，U_（BR）DS=16V、U_（BR）GS=30V，當(dāng)U_GS=4V、U_DS=5V時的I_D=9mA。請分析這四個電路中的場效應(yīng)管各工作在什么狀態(tài)（截止、恒流、可變電阻、擊穿）？

電路如圖所示，已知FET的U_th=3V、K_n=0.1mA/V²?，F(xiàn)要求該電路中FET的I_DQ=1.6mA，試求R_d的值應(yīng)為多大？