問(wèn)答題按規(guī)模劃分,集成電路的發(fā)展已經(jīng)歷了哪幾代?

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MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型:多項(xiàng)選擇題

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么?

題型:?jiǎn)柎痤}

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)?

題型:?jiǎn)柎痤}

在晶體材料中,對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在圖中,若所有的晶體管都工作在飽和區(qū),畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

題型:?jiǎn)柎痤}

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?

題型:?jiǎn)柎痤}

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容,這種電容稱為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

BiCMOS技術(shù)就是將()和()的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型:多項(xiàng)選擇題

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

題型:?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。

題型:多項(xiàng)選擇題