① 因為W有較低的電阻； ② W有較佳的step coverage（階梯覆蓋能力）。
最新試題
薄層電阻
普通二極管是由PN 結引出電極封裝而成的。
結電容是常量。
半導體獲得廣泛應用的原因是（）
OED/ORD
淀積擴散主要受哪些因素的控制？
試說明硅工藝中常用摻雜雜質B，P，As的擴散特性。
試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。
列出并解釋替位雜質在硅中的三種主要擴散機制。
漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。