試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通，則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。

發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？

二極管只能通過(guò)直流電，不能通過(guò)交流電。

在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）