列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。

什么是擴散的相互作用？試舉一例說明其對半導體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

若在直流電路中硅二極管導通，則其導通電壓均可認為0.7V。

關(guān)于PN 結(jié)的導電，下列敘述不正確的是：（）

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

二極管只能通過直流電，不能通過交流電。

本征半導體導電性能很差。

說明氧化氣氛對擴散有何影響及原因？