如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）