光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。