發(fā)射區(qū)推進(jìn)效應(yīng)

漂移運(yùn)動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

因電場作用所產(chǎn)生的運(yùn)動稱為擴(kuò)散運(yùn)動。

關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電，下列敘述不正確的是：（）

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。