與多數(shù)載流子相比，少數(shù)載流子的濃度受溫度影響大。

試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點和目的。

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

二極管只能通過直流電，不能通過交流電。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

點接觸型比面接觸型二極管的結(jié)電容面積小，因此其最高工作頻率低。

根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。