試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

淀積擴散主要受哪些因素的控制？

半導體獲得廣泛應用的原因是（）

什么是擴散的相互作用？試舉一例說明其對半導體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。

本征半導體導電性能很差。

下列半導體材料熱敏特性突出的是（）

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

OED/ORD

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。