發(fā)射區(qū)推進效應(yīng)

本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。

在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴散運動方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。

根據(jù)空位機制下的總擴散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重摻雜及P型重摻雜下的擴散系數(shù)公式。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

試說明半導(dǎo)體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

二極管交流等效電路參數(shù)與其靜態(tài)參數(shù)無關(guān)。

OED/ORD