問(wèn)答題根據(jù)CMOS反相器的傳輸特性曲線計(jì)算VIL和VIH。
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最新試題
在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。
題型：判斷題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型：判斷題
試說(shuō)明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
下列半導(dǎo)體材料熱敏特性突出的是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
明兩步擴(kuò)散法的基本思想，及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題