在PN 結(jié)形成過程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。

自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。

試說明橫向擴(kuò)散以及橫向擴(kuò)散的主要影響。

結(jié)電容是常量。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴(kuò)散機(jī)制。

漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。

二極管只能通過直流電，不能通過交流電。

在P 型半導(dǎo)體中，空穴濃度大于自由電子濃度。

OED/ORD