MOS器件存在哪些二階效應？

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

硅半導體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點。

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS場效應管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。