目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？