BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是MOS器件的體效應？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？