BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅動能力。

MOS器件存在哪些二階效應？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

試用電導率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設計1kΩ的電阻，設電阻寬1μm，求其長。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

集成電容主要有幾種結構？

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？