問(wèn)答題為什么多晶硅的干法刻蝕要采用氯基氣體而不是氟基氣體？
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1.問(wèn)答題為什么0.25微米以下工藝的干法刻蝕需要高密度等離子體？
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3.問(wèn)答題刻蝕有哪些參數(shù)？
4.問(wèn)答題簡(jiǎn)述法刻蝕的優(yōu)缺點(diǎn)（與濕法刻蝕比）。
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述什么是干法刻蝕與濕法刻蝕。
最新試題
集成電路電阻可以通過(guò)（）產(chǎn)生。
題型：多項(xiàng)選擇題
在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。
題型：多項(xiàng)選擇題
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
題型：?jiǎn)柎痤}