最新試題
比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類()。
題型:多項(xiàng)選擇題
MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響?
題型:?jiǎn)柎痤}
試用電導(dǎo)率為102/(Ω·cm),厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻,設(shè)電阻寬1μm,求其長(zhǎng)。
題型:?jiǎn)柎痤}
目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些?
題型:?jiǎn)柎痤}
MOS場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受,從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類()和()。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。
題型:多項(xiàng)選擇題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管,已知Cox=5×10-4pF/μm2,估算柵極電容。
題型:?jiǎn)柎痤}
規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么?
題型:?jiǎn)柎痤}