試說明擴散工藝中常用的擴散摻雜方法，并說明當前實際工藝中使用的主要方法及理由。

因電場作用所產(chǎn)生的運動稱為擴散運動。

下列半導體材料熱敏特性突出的是（）

純凈的半導體稱為本征半導體。

列出并解釋替位雜質(zhì)在硅中的三種主要擴散機制。

舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。

漂移運動方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。

試說明半導體制造中擴散工藝的主要目的。列出并解釋實際擴散工藝的主要步驟，并說明個步驟的主要作用和工藝溫度。

試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴散特性。

關(guān)于PN 結(jié)的導電，下列敘述不正確的是：（）