用四端器件繪制電路圖時(shí)，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。

如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。

集成電路的制造工藝，需要采用隔離技術(shù)，常見的隔離方法有（）。

源漏注入之后，必須進(jìn)行（）工藝，修復(fù)晶格損傷，激活雜質(zhì)。

光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對(duì)準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

反相器的版圖一般用到幾個(gè)pitch？（）

氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。

在組合電路中，NMOS管串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的是什么邏輯？（）

MOS管版圖一般匹配原則有（）。