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單項(xiàng)選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。

A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化

1.判斷題CMOS電路是通過有源區(qū)進(jìn)行隔離的，屬于絕緣介質(zhì)隔離。

2.判斷題STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。

3.判斷題光刻時(shí)，必須將硅片與掩模版進(jìn)行對準(zhǔn)，不同的掩模版之間也要對準(zhǔn)，可以采用仔細(xì)觀察的方法。

4.判斷題形成接觸孔之前，需要先淀積一層PSG或BPSG材料，然后再該層材料上刻蝕出窗口作為接觸孔。

5.判斷題CMOS是由PMOS和NMOS構(gòu)成，制作時(shí)可以是P阱結(jié)構(gòu)，還可以是N阱結(jié)構(gòu)，更可以是雙阱結(jié)構(gòu)。