填空題在標(biāo)準(zhǔn)單元版圖繪制中,一般pitch的取法有三種,它們分別是line on line 、line on via 、()。
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版圖繪制時(shí)一般用哪個(gè)圖層來實(shí)現(xiàn)器件連接?()
題型:單項(xiàng)選擇題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝,占地面積更小,而且不會(huì)產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型:判斷題
顯影后,被曝光區(qū)域的光刻膠被去除,該種光刻膠稱為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
如果想在電路圖模式下編輯符號(hào),可以選擇以下哪個(gè)命令?()
題型:單項(xiàng)選擇題
外延雙阱工藝的優(yōu)點(diǎn)包括()。
題型:多項(xiàng)選擇題
源漏注入之后,必須進(jìn)行()工藝,修復(fù)晶格損傷,激活雜質(zhì)。
題型:單項(xiàng)選擇題
在制作MOS管時(shí),采用LOCOS工藝容易出現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題
我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的()。
題型:單項(xiàng)選擇題
CMOS工藝中,將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時(shí),NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題