單項(xiàng)選擇題我們利用LOCOS技術(shù)制作MOS中的（）。
A.場氧區(qū)
B.源、漏
C.柵
D.有源區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題顯影后，被曝光區(qū)域的光刻膠被去除，該種光刻膠稱為（）。
A.負(fù)膠
B.正膠
C.光刻抗蝕劑
D.光阻
2.單項(xiàng)選擇題MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
A.有源區(qū)
B.場區(qū)
C.襯底區(qū)
D.阱區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題氧化層中摻雜了硼雜質(zhì)，一般稱為（）。
A.PSG
B.BPSG
C.BSG
D.FSG
4.單項(xiàng)選擇題如果制作柵氧結(jié)構(gòu)，一般采用的方法是（）。
A.濕氧氧化
B.氫氧合成
C.CVD
D.干氧氧化
最新試題
STI技術(shù)相比LOCOS工藝，占地面積更小，而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
題型：判斷題
以下工藝中，方塊電阻是一個重要的參數(shù)，一般用于衡量（）工藝中雜質(zhì)情況。
題型：單項(xiàng)選擇題
用四端器件繪制電路圖時，NMOS管和PMOS管的襯底連接正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
CMOS制作時，常常用作鈍化層的材料是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
為了后續(xù)連接方便，信號端一般用什么圖層引出?（）
題型：單項(xiàng)選擇題
薄柵管ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的ESD保護(hù)能力通常為多少？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
MOS晶體管的源區(qū)、漏區(qū)及源、漏之間的溝道區(qū)域通常稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
CMOS工藝中，將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
MOS管版圖一般匹配原則有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
MOS結(jié)構(gòu)指的是金屬氧化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的簡稱。
題型：判斷題