半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。