硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動能力。

設(shè)計(jì)一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。