A、《普通砼拌合物性能試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種氣壓法的含氣量試驗方法
B、《普通砼拌合物性能試驗方法標(biāo)準(zhǔn)》GB/T50080-2002標(biāo)準(zhǔn)中采用的是一種水壓法的含氣量試驗方法
C、砼拌合物含氣量通常是指不包含骨料組分材料本身含氣量在內(nèi)的含氣量
D、適用于各種骨料最粒徑的砼拌合物含氣量測定
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A、用濕布把容量筒內(nèi)外擦干凈，在分析天平上稱出容量筒質(zhì)量，精確至0.001g
B、采用搗棒手工搗實時，若用大于5L的容量筒，每層裝料高度不應(yīng)大于100mm
C、采用振動臺振實時，應(yīng)分二層均勻裝料，第一層料振實后，再裝第二層料
D、用刮尺刮去筒口多余的拌合物，表面如有凹陷應(yīng)補平
A、容量筒
B、稱重50kg的臺秤
C、振動臺或搗棒單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、稱重200g的分析天平
A、砼拌合物總壓力泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的壓力泌水?dāng)?shù)量
C、單位重量砼拌合物的壓力泌水?dāng)?shù)量
D、加壓至10s時的泌水量與加壓至140s時的泌水量之比
A、搗棒
B、壓力泌水儀
C、振動臺
D、量筒
A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結(jié)時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；
可用作硅片的研磨材料是（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。