單項(xiàng)選擇題下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
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1.單項(xiàng)選擇題下列哪個不是單晶常用的晶向（）
A.（100）
B.（001）
C.（111）
D.（110）
2.單項(xiàng)選擇題PN結(jié)的基本特性是（）
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
3.單項(xiàng)選擇題光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
4.單項(xiàng)選擇題在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
5.單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為（）
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
最新試題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項(xiàng)選擇題