A.漂移遷移率
B.電導(dǎo)遷移率
C.霍爾遷移率
D.磁阻遷移率
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A.(100)
B.(001)
C.(111)
D.(110)
A.單向?qū)щ娦?br />
B.半導(dǎo)性
C.電流放大性
D.絕緣性
A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
最新試題
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
硅片拋光在原理上不可分為()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
下列是晶體的是()。
PN結(jié)的基本特性是()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。