A、泵送性能變差
B、拌合物離析
C、凝結時間明顯縮短
D、含氣量明顯增大
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A、泵送性能
B、凝結性能
C、和易性能
D、保水性能
A、砼拌合物總泌水量和用水量之比
B、砼拌合物單位用水量的泌水量
C、單位重量砼拌合物的泌水數量
D、單位體積砼拌合物的泌水數量
A、應以3個試樣的試驗結果來確定
B、計算應精確至0.01mL
C、總是以3個試樣的測值的算術平均值來表示。
D、若三個試樣測值的極值與中間值之差均超過中間值的15%時,此次試驗無效。
A、一定量砼拌合物的單位面積的泌水數量
B、試驗過程的累計泌水數量
C、單位重量砼拌合物的泌水數量
D、單位體積砼拌合物的泌水數量
A、試樣筒裝樣搗實后,拌合物表面應低于筒口30±3mm
B、除吸水操作外,應始終蓋好筒蓋
C、為便于吸水,可在筒底一側墊放一片35mm厚的墊塊以使筒體傾斜,并需一直保持到試驗結束,以免造成擾動
D、從計時開始后60min內,每隔10min吸取1次試樣表面滲出的水
最新試題
下列是晶體的是()。
影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結構。