單項(xiàng)選擇題在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()

A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)


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1.單項(xiàng)選擇題硅片拋光在原理上不可分為()

A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法

2.單項(xiàng)選擇題可用作硅片的研磨材料是()

A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL

3.單項(xiàng)選擇題熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

4.單項(xiàng)選擇題CZ法的主要流程工藝順序正確的是()

A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾

5.單項(xiàng)選擇題懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

最新試題

硅片拋光在原理上不可分為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。 

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題