A.光子效應(yīng)
B.霍爾效應(yīng)
C.熱電效應(yīng)
D.壓電效應(yīng)
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A.光電效應(yīng)
B.光生伏特效應(yīng)
C.內(nèi)光電效應(yīng)
D.外光電效應(yīng)
A.機(jī)械拋光法
B.化學(xué)拋光法
C.手工拋光法
D.機(jī)械--化學(xué)拋光法
A.AL2O3
B.MGO
C.BA2O3
D.NACL
A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀
A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
下列是晶體的是()。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。