A、11.9MPa
B、21.1MPa
C、47.5MPa
D、45.1MPa
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、同組3個試件測值中,最大值和最小值與中間值的差值均超過中間值的15%時,該組試件的試驗結(jié)果無效。
B、不總是能把同組3個試件測值的平均值作為該組試件的抗壓強度值。
C、同組3個試件測值中,若出現(xiàn)最大值或最小值與中間值的差值超過中間值的15%,則該組試件的試驗結(jié)果無效。
D、同組3個試件測值中,最大值或最小值只要有1個且僅有1個與中間值的差值超過中間值的15%,就要把最大值和最小值一并舍除。
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒12.0~20.0kN
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒20.0~32.0kN
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒32.0~40.0kN
D、C25級砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
A、<C30強度等級的砼加荷速度取每秒0.3~0.5MPa
B、≥C30且<C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.5~0.8MPa
C、≥C60強度等級的砼加荷速度取每秒0.8~1.0MPa
D、A、B、C選項都對
A、小于C60強度等級的100×100×100mm立方體試件為0.95
B、小于C60強度等級的200×200×200mm立方體試件為1.05
C、小于C60強度等級的Φ100×200圓柱體試件為0.95
D、不小于C60強度等級的砼應(yīng)由試驗確定
A、39.0MPa
B、18.2MPa
C、10.2MPa
D、10.8MPa
最新試題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
改良西門子法的顯著特點不包括()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()