A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見證檢驗(yàn)
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你可能感興趣的試題
A、尺寸偏差和外觀
B、色差
C、強(qiáng)度等級(jí)
D、密度等級(jí)
A、新廠生產(chǎn)試制定型鑒定時(shí)；
B、正式生產(chǎn)后原材料、工藝等有較大改變時(shí)；
C、正常生產(chǎn)時(shí)，每半年進(jìn)行一次；
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上，恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)。
A、粉煤灰
B、水
C、集料
D、水泥
A、單排孔
B、雙排孔
C、多排孔
D、以上都不正確
A、500
B、600
C、1100
D、1400
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
下列是晶體的是（）。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。