A.拉伸性能尺寸（縱向×橫向）100×25（mm），縱橫各5個(gè)
B.耐熱性（縱向×橫向）100×50（mm），3個(gè)
C.低溫柔性（縱向×橫向）150×25（mm），10個(gè)
D.不透水性150×150mm，3個(gè)
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A.最大拉力單位為N/50mm，對(duì)應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個(gè)方向5個(gè)試件的拉力值和延伸率，計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N，延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N，延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm，4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為（100±10）mm/min
D、拉伸速率為（250±50）mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法