A.最大拉力單位為N/50mm,對(duì)應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個(gè)方向5個(gè)試件的拉力值和延伸率,計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
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A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
A、20mm
B、30mm
C、40mm
D、50mm
A、對(duì)于整個(gè)試驗(yàn)應(yīng)準(zhǔn)備五個(gè)試件
B、在試樣上距邊緣100mm以上任意裁取
C、正方形試件尺寸為(100±1)mm×(100±1)mm
D、試件在試驗(yàn)前至少在(23±2)℃和相對(duì)濕度30%~70%的條件下放置20h
最新試題
下列是晶體的是()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱()
可用作硅片的研磨材料是()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()