A.上表面五個試件均無裂縫,下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫,下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫,下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫,下表面五個試件有兩個試件有裂縫
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強聚酯氈
A.實驗的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG,Ⅰ,3.0mm
B.APPPY,Ⅰ,4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET,Ⅱ,1.5mm
D.濕鋪防水卷材P,Ⅰ,1.5mm
A.SBSGⅠ3.0mm
B.APPPYⅠ4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅡ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PEⅠ1.5mm
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。