A.非平衡載流子濃度成正比；
B.平衡載流子濃度成正比；
C.非平衡載流子濃度成反比；
D.平衡載流子濃度成反比。
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A.纖鋅礦型；
B.閃鋅礦型；
C.六方對稱性；
D.立方對稱性
A.施主
B.受主
C.復(fù)合中心
D.兩性雜質(zhì)
A.變大，變小
B.變小，變大
C.變小，變小
D.變大，變大
A.大于
B.等于
C.小于
D.有效的復(fù)合中心
A、比半導(dǎo)體的大
B、比半導(dǎo)體的小
C、與半導(dǎo)體的相等
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
下列是晶體的是（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。