A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
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你可能感興趣的試題
A、焊接預(yù)應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預(yù)應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進(jìn)行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過(guò)大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過(guò)大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗(yàn)
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗(yàn)
D、張拉錨固工藝試驗(yàn)
A、內(nèi)縮量
B、總應(yīng)變
C、錨頭損失
D、效率系數(shù)
A、試驗(yàn)應(yīng)力為0.75倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
B、測(cè)量的是工具錨下應(yīng)力與喇叭形墊板收口處的應(yīng)力差異
C、摩阻損失包括錨具內(nèi)的損失和墊板中的損失
D、實(shí)驗(yàn)結(jié)果為3組平行實(shí)驗(yàn)的平均值
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類(lèi)和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
下列是晶體的是（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。