問(wèn)答題試比較幾種常用的DAC的優(yōu)缺點(diǎn)。
您可能感興趣的試卷
最新試題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
在PN 結(jié)形成過(guò)程中，空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型：判斷題
在PN 結(jié)中，P 區(qū)的電勢(shì)比N 區(qū)高。
題型：判斷題
OED/ORD
題型：名詞解釋
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型：判斷題
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制？
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說(shuō)明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
根據(jù)空位機(jī)制下的總擴(kuò)散系數(shù)公式，給出本征硅，低濃度摻雜，N型重?fù)诫s及P型重?fù)诫s下的擴(kuò)散系數(shù)公式。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題