光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝的特點包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。