厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）